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하이닉스 1

LOCOS, STI, Narrow Width Effect

Isolation은 소자와 소자를 분리하는 절연구조를 의미한다. (PN접합의 간섭을 막기 위해 사용) 이런 구조를 만드는 방식은 과거에는 LOCOS (LOCal Oxide of Silicon)이라 하여, 실리콘 산화 절연막을 산화공정의 기법으로 만들었다. LOCOS방식은 Isolation의 깊이를 깊숙이 만들지 못하고, 넓게 펴지며 소자 영역인 Active 영역으로 마치 새의 부리 (Bird’s Beak)모양으로 산화막이 뾰족하게 파고 들어가며 형성되는 문제가 있다. ※ 산화막이 증착되면서 기존에 있던 산화막도 같이 증착되면서 양 옆이 들리게 되고, 이 부분을 Bird’s Beak이라고 한다. 이런 절연기법은 공정 미세화 측면에서 좋지 않음. 이후 공정에는 실리콘에 Etch로 구멍을 뚫어 산화 절연물질을..

반도체/전공면접 2022.03.27
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