어제보다 한 걸음

MOSFET 트랜지스터는 단자는 4개이다. 캐리어를 공급하는 Source (1), 캐리어를 높은 전계를 당기는 Drain (2), 캐리어가 이동하는 채널을 만들 수 있도록 스위칭 역할을 하는 Gate(3), 3가지 외에 Body 또는 Bulk (4)라고 부르는 단자가 있다. Body는 채널을 안정적으로 유지하기 위해서, 채널이 형성되는 영역에 전압을 걸어준다. 정상적인 동작의 경우, N-type MOSFET의 Body는 0V, 혹은 VSS로 Source, 즉 낮은 전압을 연결하고 P-type MOSFET의 Body는 VDD로 Drain, 즉 높은 전압과 연결하게 된다. 이렇게 이 Body에 인가하는 전압을 변화시키면, 소자의 전기적인 파라미터 특성을 바꿀 수 있는데, 필요한 경우 Body의 전압을 높여 ..

Isolation은 소자와 소자를 분리하는 절연구조를 의미한다. (PN접합의 간섭을 막기 위해 사용) 이런 구조를 만드는 방식은 과거에는 LOCOS (LOCal Oxide of Silicon)이라 하여, 실리콘 산화 절연막을 산화공정의 기법으로 만들었다. LOCOS방식은 Isolation의 깊이를 깊숙이 만들지 못하고, 넓게 펴지며 소자 영역인 Active 영역으로 마치 새의 부리 (Bird’s Beak)모양으로 산화막이 뾰족하게 파고 들어가며 형성되는 문제가 있다. ※ 산화막이 증착되면서 기존에 있던 산화막도 같이 증착되면서 양 옆이 들리게 되고, 이 부분을 Bird’s Beak이라고 한다. 이런 절연기법은 공정 미세화 측면에서 좋지 않음. 이후 공정에는 실리콘에 Etch로 구멍을 뚫어 산화 절연물질을..