반도체 8대 공정 중 하나인 포토(photo) 공정의 순서 중 가장 첫 번째는 HMDS 처리이다.
HMDS는 친수성(Hydrophilic)인 실리콘 기판 표면을 소수성(Hydrophobic) 하게 만들어주는 역할을 한다.
왜 이런 과정이 필요할까?
반도체 표면과 PR(Phoro resist, 포토레지스트) 간의 접착력(Adhesion)을 높이기 위해서다.
HMDS 처리
Bare silicon은 소수성 (silicon과 물의 접촉각이 큰 상태)인데, 실리콘 산화 막은 친수성의 성질은 갖는다.
(-OH 기)
포토 공정에서 사용하는 PR은 유기 용매이기 때문에, 친수성 막질 위에서는 평평하게 펴지지 않는다.
그래서 PR을 막질 위에 균일하게 도포하기 위해서 친수성의 산화 막을 소수성으로 바꿔야 한다.
HMDS(Hexa Methyl Di Silazane) 가스를 사용하여 SAM (Self-align Monolayer) 처리를 통해 – OH 기를 치환하여 웨이퍼 표면의 물성을 바꾼다. (표면처리)