PR (Photo Resist, 포토레지스트)는
빛을 받으면 성질이 변하는 특성이 있는 물질이다. (거의 Polymer임)
포토공정에서 노광을 통해서 패턴을 만들려면 PR을 잘 사용해야 한다.
PR 구성 성분
용매, 레진, 노볼락 폴리머
PR은 크게 3가지 성분으로 구성된다.
1. 용매 (Solvent)
: 코팅을 하기 위함
2. 레진 (Resin)
: 기판과의 접착력을 높이기 위해서 필요
3. 노볼락 (Novolak = Phenol + Formaldehyde + Acid 촉매로 구성된 Polymer)
: 단파장의 광을 받으면 산(Acid, H+)으로 성질이 변하는 물질.
PAC(Photo Active Compound) or PAG(Photo Active Generator) 물질을 사용한다.
PAC 성분은 단파장에 반응하기 때문에, PR을 단파장으로부터 보호하기 위하여 Photo 공정을 진행하는 공간은 항상 백색광이 아닌 긴 파장의 노란 등을 켜놓는다.
(클린 룸의 포토 룸이 Yellow room인 이유!)
PR의 종류
Positive, Negative PR
PR은 성분에 따라서 Positive PR, Negative PR 두 가지로 종류가 나뉜다.
1. Positive PR
: 빛을 받으면 구조가 파괴돼서 제거할 수 있음
Negative PR보다 미세 패터닝 구현 능력이 더 뛰어남
2. Negative PR
: 빛을 받으면 구조가 경화되어 제거할 수 없음 (Cross-lingking)
Phositive PR에 비해 기판과의 접착력이 뛰어나고 Chemiacl 내성이 강해 후속 공정에서 강하게 버틸 수 있음.
(이 두 가지 종류가 항상 헷갈리는데,
쉽게 외우는 방법은 둘 중 하나만 확실하게 외우기.
하나만 확실하게 알고 있으면, 나머지는 그 반대가 되니까)
포토레지스트(PR)의 종류. 1.Positive, 2. Negative
EUV 공정의 PR은?
어떻게 다를까? 어떤 특징이 있을까?
EUV의 광원은 Arf 광원과 동일한 PR을 사용할까?
- (아니요).
EUV의 광원은 13.5nm로 짧고 높은 에너지를 갖는다.
따라서 EUV PR은 짧은 파장에도 민감하게 반응하는 높은 광반응성이 필요하다.
또, 미세패턴을 구현하기 위해서는 PR이 얇아져야 한다.
즉. A/R(Aspect Ratio = 높이 / 넓이)가 커지게 되는데 (A/R이 크다 = 패턴이 얇고 길어진다)
PR이 얇고 길기 때문에 무너지지 않고 잘 서있을 수 있도록 단단해야 한다.
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